Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /
Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros autores: | , |
| Formato: | Libro |
| Idioma: | Inglés |
| Publicado: |
Nueva York, EUA :
Springer,
2005, c2005
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| Colección: | (The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing)
851. |
| Temas: | |
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