Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /
Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Buch |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Nueva York, EUA :
Springer,
2005, c2005
|
| Schriftenreihe: | (The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing)
851. |
| Schlagworte: | |
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| 520 | |a Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: trabajo futuro y pronósticos. | ||
| 649 | |a XX | ||
| 650 | |a Transistores MOSFET - |x Tema Principal | ||
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