Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /

Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...

Popoln opis

Bibliografske podrobnosti

Glavni avtor:	Croon, Jeroen A. (autor)
Drugi avtorji:	Sansen, Willy M.C. (autor) (autor), Maes, Herman E. (autor) (autor)
Format:	Knjiga
Jezik:	angleščina
Izdano:	Nueva York, EUA : Springer, 2005, c2005
Serija:	(The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing) 851.
Teme:	Transistores MOSFET - > Tema Principal Semiconductores Microtecnología Ingeniería Electrónica
Oznake:	Označite Brez oznak, prvi označite!