Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /

Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...

Full description

Bibliographic Details

Main Author:	Croon, Jeroen A. (autor)
Other Authors:	Sansen, Willy M.C (autor), Maes, Herman E. (autor)
Format:	Book
Language:	English
Published:	Nueva York, EUA : Springer, 2005, c2005
Series:	(The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing) 851.
Subjects:	Transistores MOSFET - > Tema Principal Semiconductores Microtecnología Ingeniería Electrónica
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!