Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /
Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | |
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| Andere auteurs: | , |
| Formaat: | Boek |
| Taal: | Engels |
| Gepubliceerd in: |
Nueva York, EUA :
Springer,
2005, c2005
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| Reeks: | (The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing)
851. |
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
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| Plaatsingsnummer: |
621. 3815284 CRO
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| Ejemplar 0500174727 |
Disponible
Préstamo 7 días a 90
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Collectie:
Colección General
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Aantekeningen:
Ubicar en Nivel 2 Norte Área de Colección General
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