Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /

Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos

Autor principal:	Croon, Jeroen A. (autor)
Otros autores:	Sansen, Willy M.C (autor), Maes, Herman E. (autor)
Formato:	Libro
Idioma:	Inglés
Publicado:	Nueva York, EUA : Springer, 2005, c2005
Colección:	(The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing) 851.
Temas:	Transistores MOSFET - > Tema Principal Semiconductores Microtecnología Ingeniería Electrónica
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