Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /
Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: tr...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
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| Бусад зохиолчид: | , |
| Формат: | Ном |
| Хэл сонгох: | англи |
| Хэвлэсэн: |
Nueva York, EUA :
Springer,
2005, c2005
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| Цуврал: | (The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science ; Analog Circuits and Signal Processing)
851. |
| Нөхцлүүд: | |
| Шошгууд: |
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
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| Тойм: | Contenido: 1) Introducción: 2) Mediciones y modelado del desajuste; 3) Extracción de parámetros; 4) Orígenes físicos de desajuste en transistores MOSFET [Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors]; 5) Aspectos técnicos; 6) Impacto de la rugosidad en el borde de la línea; 7) Conclusiones: trabajo futuro y pronósticos. |
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| Биет тодорхойлолт: | X, 206 p. |
| ISBN: | 0-387-24314-3 |