Fundamentals of Modern VLSI Devices /

Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10....

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Taur, Yuan (autor)
Outros Autores: Ning, Tak H. (autor) (autor)
Formato: Livro
Idioma:inglês
Publicado em: Cambridge, Inglaterra : Cambridge University, 2022, c2022
Edição:3a edición
Assuntos:
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Detalhes do Exemplar IT1
Número de Chamada:
621. 395 TAU
Ejemplar 0500368767
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Colección General
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