Fundamentals of Modern VLSI Devices /
Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10....
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Cambridge, Inglaterra :
Cambridge University,
2022, c2022
|
| Vydání: | 3a edición |
| Témata: | |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Právě probíhá údržba systému
Právě probíhá údržba knihovního systému.
V současné době nejsou dostupné informace o dostupnosti. Omlouváme se Vám za nepříjemnosti. Neváhejte nás kontaktovat a my se pokusíme zjistit požadované informace jinou cestou: