Fundamentals of Modern VLSI Devices /
Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10....
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | |
| Формат: | Книга |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Cambridge, Inglaterra :
Cambridge University,
2022, c2022
|
| Редагування: | 3a edición |
| Предмети: | |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Шифр: |
621. 395 TAU
|
||
|---|---|---|---|
| Ejemplar 0500368767 |
Disponible
Préstamo 7 días a 90
|
Колекція:
Colección General
|
Примітки:
Ubicar en Nivel 2 Norte Área de Colección General
|
| Ejemplar 0500368770 |
Disponible
Préstamo 7 días a 90
|
Колекція:
Colección General
|
Примітки:
Ubicar en Nivel 2 Norte Área de Colección General
|