Fundamentals of Modern VLSI Devices - Taur, Yuan (Cambridge University)
Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10. Diseño de dispositivos bipolares; 11. Factores de desempeño bipolar; 12. Dispositivos de memoria.