Fundamentals of Modern VLSI Devices /
Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10....
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
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| Materyal Türü: | Kitap |
| Dil: | İngilizce |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Cambridge, Inglaterra :
Cambridge University,
2022, c2022
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| Edisyon: | 3a edición |
| Konular: | |
| Etiketler: |
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MARC
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| 245 | 1 | 0 | |a Fundamentals of Modern VLSI Devices / |c Y. Taur, T.H. Ning. |
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| 520 | |a Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10. Diseño de dispositivos bipolares; 11. Factores de desempeño bipolar; 12. Dispositivos de memoria. | ||
| 521 | |a 2023 BO Licenciatura en Ingeniería Electrónica | ||
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| 650 | |a Transistores MOSFET | ||
| 650 | |a Transistores MOS | ||
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| 650 | |a Circuitos Integrados Digitales - |x Diseño y Construcción | ||
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| 650 | |a Electrónica Digital | ||
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