Fundamentals of Modern VLSI Devices /
Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10....
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| Format: | Livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Cambridge, Inglaterra :
Cambridge University,
2022, c2022
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| Édition: | 3a edición |
| Sujets: | |
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| Résumé: | Contiene: 1. Introducción; 2. Física básica de dispositivos; 3. Uniones p-n y contactos metal-silicio; 4. Capacitores MOS; 5. MOSFETs de canal largo; 6. MOSFETs de canal corto; 7. MOSFETs de silicio sobre aislante y de doble puerto; 8. Factores de rendimiento de CMOS; 9. Dispositivos bipolares; 10. Diseño de dispositivos bipolares; 11. Factores de desempeño bipolar; 12. Dispositivos de memoria. |
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| Description matérielle: | XXVII, 597 p. |
| Public: | 2023 BO Licenciatura en Ingeniería Electrónica |
| ISBN: | 978-1-108-48002-4 |