Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /
Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y dr...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
|---|---|
| Бусад зохиолчид: | , |
| Формат: | Ном |
| Хэл сонгох: | англи |
| Хэвлэсэн: |
Boston, EUA :
Kluwer,
1998, c1998
|
| Нөхцлүүд: | |
| Шошгууд: |
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|
Ижил төстэй зүйлс: Analysis and Design of MOSFETs :
- MOSFET Modeling for Circuit Analysis and Design /
- MOSFET Modeling and BSIM3 User’s Guide /
- Charge-Based MOS Transistor Modeling : The EKV Model for Low-Power and RF IC Design /
- MOSFET Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4 /
- Operation and Modeling of the MOS Transistor /
- Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /