Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /
Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y dr...
| Autor principal: | |
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| Altres autors: | , |
| Format: | Llibre |
| Idioma: | anglès |
| Publicat: |
Boston, EUA :
Kluwer,
1998, c1998
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| Matèries: |
| Signatura: |
621. 3815284 LIO
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| Ejemplar 0500147730 |
Disponible
Préstamo 7 días a 90
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Col·lecció:
Colección General
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Notes:
Ubicar en Nivel 1 Área de Colección General
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