Нүүр зураг
QR код

Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /

Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y dr...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Үндсэн зохиолч: Liou, Juin J. (autor)
Бусад зохиолчид: Ortiz-Conde, Adelmo (autor) (autor), García-Sánchez, F. (autor) (autor)
Формат: Ном
Хэл сонгох:англи
Хэвлэсэн: Boston, EUA : Kluwer, 1998, c1998
Нөхцлүүд:
Transistores MOSFET - > Diseño y Construcción - > Tema Principal
Transistores MOSFET - > Modelos Matemáticos
Métodos de Simulación
Semiconductores
Circuitos Electrónicos - > Diseño y Construcción - > Tema Principal
Modelos Matemáticos
Ingeniería Electrónica
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!

MARC

LEADER 00000nam^a2200000^a^4500
001 000265200
005 20250521000000.0
009 20260310110709.484
020 |a 0-412-14601-0 
037 |a Acervo ITESO - Biblioteca 
041 |a ING 
082 |a 621. 3815284  |b LIO 
100 |a Liou, Juin J.  |e (autor) 
245 1 0 |a Analysis and Design of MOSFETs :  |b Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /  |c J.J. Liou, A. Ortiz-Conde, F. García-Sánchez. 
264 4 |a Boston, EUA :  |b Kluwer,  |c 1998, c1998 
300 |a XIV, 349 p. 
336 |a texto  |b txt  |2 rdacontenido 
337 |a sin mediación  |b n  |2 rdamedio 
338 |a volumen  |b nc  |2 rdasoporte 
520 |a Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y drenaje de series de resistencia de transistores MOSFET; 6) Parámetros de extracción de LDD (Lightly-doped drain) de transistores MOSFET. 
649 |a XX 
650 |a Transistores MOSFET -  |x Diseño y Construcción -  |x Tema Principal 
650 |a Transistores MOSFET -  |x Modelos Matemáticos 
650 |a Métodos de Simulación 
650 |a Semiconductores 
650 |a Circuitos Electrónicos -  |x Diseño y Construcción -  |x Tema Principal 
650 |a Modelos Matemáticos 
650 |a Ingeniería Electrónica 
700 |a Ortiz-Conde, Adelmo  |e (autor) 
700 |a García-Sánchez, F.  |e (autor) 
910 |a Fondo General 
920 |a Impresos - Libros 
930 |a Colección General 
905 |a 101 
901 |a 0500147730  |b IT1  |c ACC  |u 20250521 
902 |a https://opac.biblio.iteso.mx/vufind/Record/000265200 

Ижил төстэй зүйлс