Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /

Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y dr...

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Podrobná bibliografie

Hlavní autor:	Liou, Juin J. (autor)
Další autoři:	Ortiz-Conde, Adelmo (autor) (autor), García-Sánchez, F. (autor) (autor)
Médium:	Kniha
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Boston, EUA : Kluwer, 1998, c1998
Témata:	Transistores MOSFET - > Diseño y Construcción - > Tema Principal Transistores MOSFET - > Modelos Matemáticos Métodos de Simulación Semiconductores Circuitos Electrónicos - > Diseño y Construcción - > Tema Principal Modelos Matemáticos Ingeniería Electrónica
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!