Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /
Contenido: 1) Modelamiento y física de transistores MOSFET; 2) Simulación de transistores MOSFET con dispositivos simuladores; 3) Extracción del voltaje de entrada de transistores MOSFET; 4) Métodos de extracción efectivo de la longitud del canal de transistores MOSFET; Extracción del recorrido y dr...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | , |
| Формат: | Книга |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Boston, EUA :
Kluwer,
1998, c1998
|
| Предмети: | |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!