Operation and Modeling of the MOS Transistor /
Contenido: 1. Revisión de semiconductores, conjunciones y MOSFET; 2. Estructura MOS de dos terminales; 3. Estructura MOS de tres terminales; 4. Transistor MOS de cuatro terminales; 5. Transistores MOS con canales de iones implantados; 6. Efectos de pequeña dimensión; 7. El transistor MOS en la opera...
Guardat en:
| Autor principal: | |
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| Format: | Llibre |
| Idioma: | anglès |
| Publicat: |
Oxford, Inglaterra :
Oxford University,
1999, c1999
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| Edició: | 2a edición |
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
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| Signatura: |
621. 3815284 TSI
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| Ejemplar 0500146980 |
Disponible
Préstamo 7 días a 90
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Col·lecció:
Colección General
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Notes:
Ubicar en Nivel 2 Norte Área de Colección General
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