Operation and Modeling of the MOS Transistor /
Contenido: 1. Revisión de semiconductores, conjunciones y MOSFET; 2. Estructura MOS de dos terminales; 3. Estructura MOS de tres terminales; 4. Transistor MOS de cuatro terminales; 5. Transistores MOS con canales de iones implantados; 6. Efectos de pequeña dimensión; 7. El transistor MOS en la opera...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Llibre |
| Idioma: | anglès |
| Publicat: |
Oxford, Inglaterra :
Oxford University,
1999, c1999
|
| Edició: | 2a edición |
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Ítems similars: Operation and Modeling of the MOS Transistor /
- Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors /
- Charge-Based MOS Transistor Modeling : The EKV Model for Low-Power and RF IC Design /
- MOSFET Modeling for Circuit Analysis and Design /
- Small-Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data /
- El transistor bipolar de heterounión : física, electrónica y microondas /
- Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction /