Operation and Modeling of the MOS Transistor /
Contenido: 1. Revisión de semiconductores, conjunciones y MOSFET; 2. Estructura MOS de dos terminales; 3. Estructura MOS de tres terminales; 4. Transistor MOS de cuatro terminales; 5. Transistores MOS con canales de iones implantados; 6. Efectos de pequeña dimensión; 7. El transistor MOS en la opera...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Llibre |
| Idioma: | anglès |
| Publicat: |
Oxford, Inglaterra :
Oxford University,
1999, c1999
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| Edició: | 2a edición |
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| 520 | |a Contenido: 1. Revisión de semiconductores, conjunciones y MOSFET; 2. Estructura MOS de dos terminales; 3. Estructura MOS de tres terminales; 4. Transistor MOS de cuatro terminales; 5. Transistores MOS con canales de iones implantados; 6. Efectos de pequeña dimensión; 7. El transistor MOS en la operación dinámica: modelado de señales largas; 8. Modelado de señales cortas para frecuencias bajas y medias; 9. Modelos de señales de alta frecuencia de señal corta; 10. Modelado de MOSFET para la simulación de circuitos. | ||
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