Operation and Modeling of the MOS Transistor /
Contenido: 1. Revisión de semiconductores, conjunciones y MOSFET; 2. Estructura MOS de dos terminales; 3. Estructura MOS de tres terminales; 4. Transistor MOS de cuatro terminales; 5. Transistores MOS con canales de iones implantados; 6. Efectos de pequeña dimensión; 7. El transistor MOS en la opera...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Oxford, Inglaterra :
Oxford University,
1999, c1999
|
| Vydání: | 2a edición |
| Témata: | |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!