Charge Pump Circuit Design /

Contenido: 1) Historia de los multiplicadores de tensión de alto voltaje; 2) Bases físicas de dispositivos MOS; 3) Operaciones básicas de multiplicadores de tensión; 4) Criterios de diseño de multiplicadores de tensión; 5) Cómo diseñar un multiplicador de tensión básico; 6) Diseño del mejor multipli...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Pan, Feng (autor)
Weitere Verfasser: Samaddar, Tapan (autor) (autor)
Format: Buch
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Nueva York, EUA ; McGraw-Hill, 2006, c2006
Schriftenreihe:(McGraw-Hill Electronic Engineering Series)
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Bestandsangaben von IT1
Signatur:
621. 3815 PAN
Ejemplar 0500174434
Disponible
Préstamo 7 días a 90
Bestand:
Colección General
Anmerkungen:
Ubicar en Nivel 2 Norte Área de Colección General