Charge Pump Circuit Design /
Contenido: 1) Historia de los multiplicadores de tensión de alto voltaje; 2) Bases físicas de dispositivos MOS; 3) Operaciones básicas de multiplicadores de tensión; 4) Criterios de diseño de multiplicadores de tensión; 5) Cómo diseñar un multiplicador de tensión básico; 6) Diseño del mejor multipli...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | |
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | 英語 |
| 出版事項: |
Nueva York, EUA ;
McGraw-Hill,
2006, c2006
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| シリーズ: | (McGraw-Hill Electronic Engineering Series)
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| 主題: | |
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MARC
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| 100 | |a Pan, Feng |e (autor) | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Charge Pump Circuit Design / |c F. Pan, T. Samaddar. |
| 264 | 4 | |a Nueva York, EUA ; |b McGraw-Hill, |c 2006, c2006 | |
| 300 | |a XV, 247 p. | ||
| 336 | |a texto |b txt |2 rdacontenido | ||
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| 338 | |a volumen |b nc |2 rdasoporte | ||
| 440 | 1 | |a (McGraw-Hill Electronic Engineering Series) | |
| 520 | |a Contenido: 1) Historia de los multiplicadores de tensión de alto voltaje; 2) Bases físicas de dispositivos MOS; 3) Operaciones básicas de multiplicadores de tensión; 4) Criterios de diseño de multiplicadores de tensión; 5) Cómo diseñar un multiplicador de tensión básico; 6) Diseño del mejor multiplicador de tensión; 7) Diferentes arquitecturas del multiplicador de tensión; 8) Referencias de futuros diseños; 9) Ejemplo y análisis del diseño práctico de un multiplicador de tensión. | ||
| 649 | |a XX | ||
| 650 | |a Circuito Multiplicador de Tensión - |x Tema Principal | ||
| 650 | |a Circuitos Integrados - |x Tema Principal | ||
| 650 | |a Convertidores de Corriente Eléctrica - |x Tema Principal | ||
| 650 | |a Nanotecnología | ||
| 650 | |a Ingeniería Electrónica | ||
| 700 | |a Samaddar, Tapan |e (autor) | ||
| 910 | |a Fondo General | ||
| 920 | |a Impresos - Libros | ||
| 930 | |a Colección General | ||
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| 902 | |a https://opac.biblio.iteso.mx/vufind/Record/000287709 | ||