Nano-CMOS Circuit and Physical Design /
Contenido: 1) Implicaciones y problemas de escala en nano CMOS; 2) Dispositivos CMOS y proceso tecnológico; 3) Teoría y aspectos prácticos de la litografía óptica de la sub-longitud de onda; 4) Diseño de circuitos de señal mixta; 5) Diseño de protección de descarga electrostática; 6) Diseño de entra...
I tiakina i:
| Ētahi atu kaituhi: | , |
|---|---|
| Hōputu: | Pukapuka |
| Reo: | Ingarihi |
| I whakaputaina: |
Hoboken, EUA :
Wiley-Interscience,
2005, c2005
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| Ngā marau: | |
| Ngā Tūtohu: |
Kāore He Tūtohu, Me noho koe te mea tuatahi ki te tūtohu i tēnei pūkete!
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MARC
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|---|---|---|---|
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| 037 | |a Acervo ITESO - Biblioteca | ||
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| 245 | 0 | 0 | |a Nano-CMOS Circuit and Physical Design / |c B.P. Wong... [et al.] ; pról. de C. Hu. |
| 264 | 4 | |a Hoboken, EUA : |b Wiley-Interscience, |c 2005, c2005 | |
| 300 | |a XVIII, 393 p. | ||
| 336 | |a texto |b txt |2 rdacontenido | ||
| 337 | |a sin mediación |b n |2 rdamedio | ||
| 338 | |a volumen |b nc |2 rdasoporte | ||
| 520 | |a Contenido: 1) Implicaciones y problemas de escala en nano CMOS; 2) Dispositivos CMOS y proceso tecnológico; 3) Teoría y aspectos prácticos de la litografía óptica de la sub-longitud de onda; 4) Diseño de circuitos de señal mixta; 5) Diseño de protección de descarga electrostática; 6) Diseño de entrada/salida; 7) Memorias dinámicas (DRAM); 8) Problemas de integridad de señal en las interconexiones entre los chips; 9) Diseño de circuitos de potencia muy baja; 10) Diseño para la manufactura; 11) Diseño para la variabilidad. | ||
| 649 | |a XX | ||
| 650 | |a Circuitos de Señal Mixta - |x Diseño y Construcción | ||
| 650 | |a CMOS (Electrónica) - |x Diseño y Construcción - |x Tema Principal | ||
| 650 | |a Circuitos Integrados - |x Diseño y Construcción - |x Tema Principal | ||
| 650 | |a Memorias (Ingeniería Computacional) | ||
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| 650 | |a Ingeniería Electrónica | ||
| 700 | |a Wong, Ban P. |e (autor) | ||
| 700 | |a Hu, Chenming |e (prólogo) | ||
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