Nanometer CMOS ICs : From Basics to ASICs /
Contenido: 1) Principios básicos; 2) Impacto geométrico, físico y de escala en el comportamiento de transistores MOS; 3) Manufactura de dispositivos MOS; 4) Circuitos CMOS; 5) Circuitos especiales, dispositivos y tecnologías; 6) Memorias; 7) VLSI (Very Large Scale Integration) y ASICs (Application-S...
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| Autor principal: | |
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| Format: | Llibre |
| Idioma: | anglès |
| Publicat: |
Heidelberg, Alemania :
Springer,
2008, c2008
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| Matèries: | |
| Etiquetes: |
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| Sumari: | Contenido: 1) Principios básicos; 2) Impacto geométrico, físico y de escala en el comportamiento de transistores MOS; 3) Manufactura de dispositivos MOS; 4) Circuitos CMOS; 5) Circuitos especiales, dispositivos y tecnologías; 6) Memorias; 7) VLSI (Very Large Scale Integration) y ASICs (Application-Specific Integrated Circuits); 8) Baja potencia, un aspecto de calor en el diseño de los circuitos integrados; 9) Fortalecimiento del diseño de CMOS nanométrico: integridad de señal, variabilidad y confianza; 10) Prueba, producción, empacamiento, depuración y análisis de fallas; 11) Efectos de escala en el diseño de circuitos integrados y consecuencias en la hoja de ruta. |
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| Descripció física: | XXXII, 730 p. |
| ISBN: | 978-1-4020-8332-7 |