El transistor bipolar de heterounión : física, electrónica y microondas /
Contenido: Introducción; Geometría de transistores; Física de materiales; Física del dispositivo; Modelos analíticos; Modelos de Ebers-Moll y Gummel-Poon; Circuitos equivalentes SPICE; Electrónica de alta velocidad y alta frecuencia; Bipuerto y tripuerto (Figuras de mérito: fT y fmáx); Parámetros S...
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
|---|---|
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | španščina |
| Izdano: |
Barcelona, España :
Universidad Politécnica de Cataluña,
2002, c2002
|
| Serija: | (Aula Politècnica ;
67) |
| Teme: | |
| Oznake: |
Brez oznak, prvi označite!
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MARC
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| 100 | |a López González, Juan Miguel |e (autor) | ||
| 245 | 1 | 3 | |a El transistor bipolar de heterounión : |b física, electrónica y microondas / |c J.M. López González. |
| 264 | 4 | |a Barcelona, España : |b Universidad Politécnica de Cataluña, |c 2002, c2002 | |
| 300 | |a 381 p. | ||
| 336 | |a texto |b txt |2 rdacontenido | ||
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| 338 | |a volumen |b nc |2 rdasoporte | ||
| 440 | 1 | |a (Aula Politècnica ; |v 67) | |
| 520 | |a Contenido: Introducción; Geometría de transistores; Física de materiales; Física del dispositivo; Modelos analíticos; Modelos de Ebers-Moll y Gummel-Poon; Circuitos equivalentes SPICE; Electrónica de alta velocidad y alta frecuencia; Bipuerto y tripuerto (Figuras de mérito: fT y fmáx); Parámetros S (Ganancia de potencia); Ejemplo de aplicación: Un HBT-GaAs de TRW; Apéndices. | ||
| 649 | |a XX | ||
| 650 | |a Transistores Bipolares | ||
| 650 | |a Transistores de Efecto de Campo | ||
| 650 | |a Circuitos de Microondas | ||
| 650 | |a Circuitos Electrónicos | ||
| 650 | |a Semiconductores | ||
| 650 | |a Materiales Semiconductores | ||
| 650 | |a Circuitos Electrónicos - |x Análisis | ||
| 650 | |a Física del Estado Sólido | ||
| 650 | |a Ingeniería Electrónica | ||
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