Process Technology for Silicon Carbide Devices /
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| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Londres, Inglaterra :
Institution of Electrical Engineers,
2002, c2002
|
| Σειρά: | (EMIS Processing Series ;
2) |
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
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|
MARC
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| 100 | |a Zetterling, Carl-Mikael |e (ed.) | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Process Technology for Silicon Carbide Devices / |c Ed. de C.M. Zetterling. |
| 264 | 4 | |a Londres, Inglaterra : |b Institution of Electrical Engineers, |c 2002, c2002 | |
| 300 | |a XXII, 176 p. | ||
| 336 | |a texto |b txt |2 rdacontenido | ||
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| 440 | 1 | |a (EMIS Processing Series ; |v 2) | |
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| 650 | |a Crecimiento Cristalino | ||
| 650 | |a Materiales Semiconductores | ||
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| 650 | |a Semiconductores | ||
| 650 | |a Electrónica - |x Equipo y Aparatos | ||
| 650 | |a Electrónica Industrial | ||
| 650 | |a Microtecnología | ||
| 650 | |a Tecnología | ||
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