Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors /

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Cressler, John D. (autor)
مؤلفون آخرون:	Niu, Guofu (autor) (autor)
التنسيق:	كتاب
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	Boston, EUA : Artech House, 2003, c2003
الموضوعات:	Transistores Bipolares Germanio Silicio Materiales Semiconductores Ruido Electrónico Circuitos Electrónicos - > Análisis Física del Estado Sólido Electrónica - > Matemáticas Ingeniería Electrónica
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

MARC


LEADER	00000nam^a2200000^a^4500
001	000152962
005	20250521000000.0
009	20260310100302.178
020			\|a 1-58053-361-2
037			\|a Acervo ITESO - Biblioteca
041			\|a ING
082			\|a 621. 381528 \|b CRE
100			\|a Cressler, John D. \|e (autor)
245	1	0	\|a Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors / \|c J.D. Cressler, G. Niu.
264		4	\|a Boston, EUA : \|b Artech House, \|c 2003, c2003
300			\|a XVIII, 570 p.
336			\|a texto \|b txt \|2 rdacontenido
337			\|a sin mediación \|b n \|2 rdamedio
338			\|a volumen \|b nc \|2 rdasoporte
649			\|a XX
650			\|a Transistores Bipolares
650			\|a Germanio
650			\|a Silicio
650			\|a Materiales Semiconductores
650			\|a Ruido Electrónico
650			\|a Circuitos Electrónicos - \|x Análisis
650			\|a Física del Estado Sólido
650			\|a Electrónica - \|x Matemáticas
650			\|a Ingeniería Electrónica
700			\|a Niu, Guofu \|e (autor)
910			\|a Fondo General
920			\|a Impresos - Libros
930			\|a Colección General
905			\|a 101
901			\|a 0500081601 \|b IT1 \|c ACC \|u 20250521
902			\|a https://opac.biblio.iteso.mx/vufind/Record/000152962